[数码讨论]成功逆向ASML 中国首台EUV光刻机原型机组装[1P] [复制链接]

据外媒报道，中国一家秘密实验室已经悄然组装出第一台EUV极紫外光刻系统的原型机，是通过逆向工程ASML现有的光刻机产品而来的，正处于秘密测试阶段，计划2028年试产原型芯片。

消息称，这一EUV光刻机原型是2025年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成的，几乎覆盖了整个厂房。
这台光刻机没有采用清华大学研发的基于粒子加速器的稳态微聚束(SSMB)技术，也没有使用哈尔滨工业大学开发的放电等离子体(DPP)技术，而是和ASML Twinscan NXE系列光刻机相同的激光等离子体(LPP)技术，可产生波长为13.5纳米的极紫外光。
报道指出，中国版EUV光刻机的体积显著大于ASML同类产品，但已经具备极紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。中国EUV光刻机的研发团队由前ASML工程师和应届大学毕业生组成，不仅聘请了ASML中国分公司的前员工，还吸纳了ASML在美国、欧洲、中国台湾的前雇员。
关键瓶颈在于，中国仍无法复刻出ASML的高精度光学系统，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。

根据您提供的信息，中国的一家秘密实验室已经成功组装出第一台EUV极紫外光刻系统的原型机，并且正在进行秘密测试。这台原型机是通过逆向工程ASML现有的光刻机产品而来的。计划在2028年试产原型芯片。

这台EUV光刻机原型采用了与ASML Twinscan NXE系列光刻机相同的激光等离子体(LPP)技术，可以产生波长为13.5纳米的极紫外光。然而，中国版的EUV光刻机在体积上比ASML同类产品要大得多，尽管已经具备了极紫外光的生成能力，但尚未能制造出可用芯片。

中国EUV光刻机的研发团队由前ASML工程师和应届大学毕业生组成，不仅聘请了ASML中国分公司的前员工，还吸纳了ASML在美国、欧洲、中国台湾的前雇员。然而，关键瓶颈在于中国仍无法复刻出ASML的高精度光学系统，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。

中国首台EUV光刻机原型机已通过逆向工程ASML现有产品组装完成，目前处于秘密测试阶段。该原型机由深圳一处安保严密的实验室组装，采用与ASML Twinscan NXE系列相同的激光等离子体（LPP）技术，可产生波长13.5纳米的极紫外光，但尚未能制造出可用芯片。

其技术原理与ASML类似：将直径25-30微米的熔融锡液滴注入真空腔体，通过低强度预脉冲激光将液滴压平，再用强主脉冲激光 汽化锡靶形成超高温等离子体，发射极紫外光，经多层膜收集镜收集后导入反射光学系统。

研发团队由前ASML工程师（包括中国分公司、欧美及台湾地区前雇员）和应届大学毕业生组成，例如曾负责ASML EUV光源技术的林楠，目前在中科院上海光学精密机械研究所带领团队，18个月内申请了8项EUV相关专利。

当前，该原型机已具备极紫外光生成能力，但存在关键瓶颈：无法复刻ASML的高精度光学系统，无法将极紫外光精准投射到晶圆上完成光刻成像；极紫外光源功率指标未知，这是量产的核心参数；超高精度收集镜系统、照明光学系统、投影光学系统等核心部件的研发进度未公开。此外，原型机体积显著大于ASML同类产品。

该原型机的组装是中国在EUV光刻机领域的重要突破，计划2028年试产原型芯片，但需解决上述瓶颈才能实现商用化。