复旦大学科研团队实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片
北京时间2025年10月8日晚，复旦大学在国际顶级学术期刊《自然》（Nature）上发表了一篇题为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”）的论文。这一成果标志着全球首颗二维-硅基混合架构芯片的成功研发，攻克了新型二维信息器件工程化的关键难题。
研发背景与意义
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队，通过将二维超快闪存器件“破晓（PoX）”与成熟硅基CMOS工艺深度融合，成功研发出全球首颗二维-硅基混合架构芯片。这一突破不仅在技术上实现了重大飞跃，也为新一代颠覆性器件的应用化提供了范例。
技术特点与优势
1. 高性能：该芯片的性能远超目前的Flash闪存技术，实现了超高速的数据存取。
2. 创新架构：采用“长缨（CY-01）”架构，将二维材料与硅基工艺有机结合，突破了传统技术的瓶颈。
3. 工程化突破：成功实现了混合架构的工程化，为未来信息技术的发展提供了新的路径。
研究成果与未来展望
此次研发的芯片已成功流片，标志着从基础研究到工程化应用的关键跨越。团队计划在未来3-5年内，将项目集成到兆量级水平，并与相关机构合作建立自主主导的工程化项目。期间产生的知识产权和IP可授权给合作企业，推动技术的产业化应用。
结语
复旦大学科研团队的这一突破，不仅为信息技术的发展提供了新的动力，也为全球半导体行业带来了新的希望。随着技术的不断迭代和应用，我们有理由相信，未来的电子设备将更加高效、智能和便捷。
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