[数码讨论]长江存储首席科学家：我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超[1P] [复制链接]

　　霍宗亮在北京大学2025年研究生毕业典礼上的发言强调了个人发展与国家需求相结合的重要性，他以自己的经历为例，鼓励毕业生投身于国家需要的产业中去。他本人作为长江存储科技控股有限责任公司的首席科学家，见证了并参与了我国三维闪存芯片技术从无到有、从落后到赶超的跨越式发展。

　　长江存储自2016年成立以来，专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的研发和生产。他们不仅提供3D NAND闪存、嵌入式存储等产品，还推出了自己的零售存储品牌致态。2020年4月，长江存储宣布成功研发第三代TLC/QLC两款产品，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，在发布时拥有业界最高的I/O速度、最高的存储密度和最高的单颗容量，这标志着我国在这一领域的技术进步和竞争力得到了显著提升。

　　霍宗亮的发言和长江存储的成就都体现了中国在高科技领域不断追求自主创新和突破的决心和能力，这对于国家的科技进步和产业升级具有重要意义。同时，这也为即将步入社会的毕业生们提供了宝贵的启示：在国家需要的领域中寻找个人发展的机会，不仅能够实现个人价值，也能为国家的繁荣发展做出贡献。

长江存储首席科学家：我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超
事件背景
2025年7月3日上午，北京大学举行2025年研究生毕业典礼暨学位授予仪式，长江存储科技控股有限责任公司首席科学家霍宗亮作为校友代表发言。他表示，在长江存储的这十来年里，团队卧薪尝胆、披荆斩棘，使我国的三维闪存芯片技术从无到有、从落后到赶超，实现了跨越式的发展1234567。

长江存储发展历程与技术突破
公司概况
长江存储成立于2016年7月，是国内一家专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业，提供3D NAND闪存、嵌入式存储、移动硬盘、固态硬盘等产品，并在2021年推出唯一零售存储品牌致态2467。

技术突破节点
首款3D NAND闪存：2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存5。
Xtacking架构闪存技术：2018年8月，长江存储在2018FMS峰会上首次发布了晶栈Xtacking®1.0架构闪存技术，其创新点在于将CMOS晶片和存储单元晶片结合。该架构的I/O速度高达3Gbps，达到DDR4内存的水平，远超普通闪存I/O接口1Gbps左右的传输速率，同时可以减少30 - 50%的芯片面积，能够实现比传统堆叠NAND闪存更高的存储密度9。
第二代TLC 3D NAND闪存量产：2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产5。
第三代TLC/QLC两款产品研发成功：2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2 - 6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量2467。
霍宗亮观点及意义
观点
霍宗亮提到北大与民族复兴紧密相连，北大人应选择与国家同行，与民族共命运，投身到国家需要的产业中去。他认为存储产业在他毕业的那个时代不是最热门的产业，但坚信它是国家需要的产业，要沉下心来，不害怕坐冷板凳，不贪图快速的回报，在自主研发的道路上默默奋斗237。

意义
我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超，具有重要的战略