最近中国在光刻胶技术方面取得了重大突破。这项技术由华中科技大学和湖北九峰山实验室组成的联合研究团队开发，成功研制出了一种新型的光刻胶，这种光刻胶具有高分辨率、优良截面形貌和低线边缘粗糙度，性能优于大多数商用光刻胶。
光刻胶是光刻技术中的关键材料，它通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化，从而在半导体制造过程中起到关键作用。此次技术突破有望解决光刻制造中的共性难题，对于中国半导体产业的发展具有重要意义。
目前，中国的光刻胶自给率仍然较低，特别是在高端光刻胶领域。例如，EUV光刻胶的自给率为0%，ArF为1%，KrF为5%。但随着国内光刻胶企业的崛起和技术进步，中国已成为全球最大的光刻胶市场之一。
总体来看，这一技术突破不仅有助于提高中国在全球半导体产业中的地位，也有助于减少对外部高端光刻胶的依赖，从而在一定程度上缓解了被外国“卡脖子”的情况。
